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華為、長(cháng)虹、康佳、兆馳等公布MicroLED專(zhuān)利

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2024-03-19  瀏覽次數:1257
核心提示:近日、華為、長(cháng)虹、康佳、兆馳半導體、廈門(mén)大學(xué)相繼公布了Micro LED發(fā)明專(zhuān)利,涉及提升Micro LED光效、提高巨量轉移效率、Micro LED屏幕指紋識別應用等。
近日、華為、長(cháng)虹、康佳、兆馳半導體、廈門(mén)大學(xué)相繼公布了Micro LED發(fā)明專(zhuān)利,涉及提升Micro LED光效、提高巨量轉移效率、Micro LED屏幕指紋識別應用等。


華為:申請Micro LED顯示面板專(zhuān)利,可增大發(fā)光區面積提升光效

據國家知識產(chǎn)權局公告,華為技術(shù)有限公司申請一項名為“一種Micro LED顯示面板、顯示設備及制造方法“,公開(kāi)號:CN117690946A,申請日期為2022年9月。該方案可以增大發(fā)光區面積,提升光效。不需要巨量轉移,提高合格率。防止光串擾,利于電流分布均勻。

圖片來(lái)源:國家知識產(chǎn)權局

具體專(zhuān)利摘要內容如下:本申請公開(kāi)了一種Micro LED顯示面板、顯示設備及制造方法,包括多個(gè)顯示結構,每個(gè)顯示結構包括:第一電極、第二電極、第一半導體層、第二半導體層和發(fā)光層;相鄰的顯示結構的第一電極、第一半導體層和發(fā)光層相互獨立;第一半導體層和第二半導體層分別位于發(fā)光層的兩側表面;第一電極位于第一半導體層背離發(fā)光層的一側,第二電極位于第二半導體層背離發(fā)光層的一側;每個(gè)顯示結構的發(fā)光層對應一個(gè)像素區;第二電極圍繞每個(gè)像素區走線(xiàn),第二電極為各個(gè)像素區的公共電極,且為相鄰像素區之間的金屬擋墻。

長(cháng)虹電子:公布兩項Micro LED發(fā)明專(zhuān)利

3月12日,長(cháng)虹電子與啟?丝萍脊剂“Micro LED表面結構及制備方法”的發(fā)明專(zhuān)利,申請公布號: CN117693216A 。

圖片來(lái)源:國家知識產(chǎn)權局

為了提高量子點(diǎn)光提取效率及準直效果,該專(zhuān)利提供了Micro LED表面結構及制備方法,通過(guò)在Micro LED芯片表面構造金屬納米環(huán)結構,當納米環(huán)結構參數與中心量子點(diǎn)光波長(cháng)相匹配時(shí),會(huì )產(chǎn)生強烈的準直效應,可實(shí)現發(fā)出光線(xiàn)的定向準直功能;底部金屬反射器收集量子點(diǎn)光源向下發(fā)出的光線(xiàn),并反射至芯片發(fā)光方向,增加了發(fā)光方向的光子數,從而大大增加了量子點(diǎn)Micro LED芯片在垂直方向上的光提取效率。

另外,3月15日,長(cháng)虹電子與啟?丝萍脊餐_(kāi)了一項發(fā)明專(zhuān)利,名為“一種基于Micro LED的屏幕指紋識別裝置和方法”,申請公布號:CN117711037A。

圖片來(lái)源:國家知識產(chǎn)權局

為了解決目前的Micro LED的屏幕指紋識別需要設置額外的傳感器,產(chǎn)生額外的光口比的問(wèn)題,以及需要用戶(hù)觸摸指定的區域進(jìn)行解鎖,操作不簡(jiǎn)便的問(wèn)題;

該專(zhuān)利發(fā)明提供一種基于Micro LED屏幕的指紋識別裝置,當需要指紋識別功能時(shí),觸摸感應模塊確認手指的按壓位置,手指下方的第一LED芯片用作指紋識別的光源,與第二LED芯片連接的像素驅動(dòng)電路測量第一LED芯片發(fā)射的光線(xiàn)經(jīng)過(guò)指紋凸起和凹陷處的反射光在第二LED芯片上產(chǎn)生的光電流的電壓差,確定指紋的形狀;指紋識別功能完成,Micro LED屏幕恢復正常顯示狀態(tài)。

康佳:Micro LED保護膜、結構、顯示裝置及電子設備

3月12日,深圳康佳電子科技有限公司“Micro LED保護膜、Micro LED結構、顯示裝置及電子設備”的發(fā)明專(zhuān)利進(jìn)入授權階段。

該發(fā)明專(zhuān)利利用半透膜邊緣的吸光材料吸收大角度的光線(xiàn),有效改善了拼接縫亮線(xiàn)問(wèn)題。

圖片來(lái)源:國家知識產(chǎn)權局

具體專(zhuān)利摘要內容如下:本發(fā)明公開(kāi)了一種Micro LED保護膜、Micro LED結構、顯示裝置及電子設備,Micro LED保護膜包括吸光材料以及單層半透膜或復合層半透膜,單層半透膜的邊緣包圍有吸光材料,復合層半透膜包括由內而外依次疊置的多層折射率相同或不同的半透膜,復合層半透膜的邊緣包圍有吸光材料。


兆馳半導體:一種Micro LED巨量轉移方法

3月15日,兆馳半導體的發(fā)明專(zhuān)利“一種Micro LED巨量轉移方法”公布,申請公布號CN117712241A。該技術(shù)無(wú)需高精度設計,可根據芯片的不同高度進(jìn)行黏附轉移,且能提高轉移速率,并保證轉移的高良率。

圖片來(lái)源:國家知識產(chǎn)權局

具體專(zhuān)利摘要內容如下:本發(fā)明提供一種Micro LED巨量轉移方法,包括以下步驟:提供一襯底,并在襯底上制備芯片;提供一基板,并在基板一面設置鍵合膜;將基板與襯底進(jìn)行臨時(shí)鍵合;對芯片進(jìn)行襯底剝離;在芯片遠離基板的一側設置柱體;提供一轉移頭,將轉移頭的第三粘合部貼合柱體,以基于各柱體的高度差,同時(shí)將多個(gè)第一芯片或第二芯片或第三芯片從基板轉移至電路板。通過(guò)采用光固化樹(shù)脂,選擇性固化出不同高度的芯片底座,并基于UV解粘膠的光照降低芯片與基板之間的粘性,最后基于高粘度的轉移頭對芯片進(jìn)行批量轉移。

廈門(mén)大學(xué):提升Micro LED光提取效率

3月15日,廈門(mén)大學(xué)公布了一項發(fā)明專(zhuān)利,名為“一種提升光提取效率的Micro LED器件結構及制作方法”。申請公布號:CN117712263A。該發(fā)明通過(guò)減小電流密度差異,提高電子在材料中的遷移率,以改善電流在器件中的分布,降低電流密度,并減緩電流擁擠效應。從而大幅度提升器件性能。

圖片來(lái)源:國家知識產(chǎn)權局

具體來(lái)看,該發(fā)明公開(kāi)了一種提升光提取效率的Micro LED器件結構及制作方法,其結構的外延層由背面至正面按序包括n-GaN層、MQW和p-GaN層,并通過(guò)由正面蝕刻至n-GaN層形成發(fā)光臺面,第一電流擴展層設于發(fā)光臺面的p-GaN層上,p電極和n電極分別設于第一電流擴展層和n-GaN層上,鈍化層、反射層和絕緣層按序覆蓋器件結構的正面,p電極和n電極分別通過(guò)貫穿鈍化層、反射層和絕緣層的鍵合金屬引出;n-GaN層在發(fā)光臺面區域通過(guò)蝕刻形成若干通孔,第二電流擴展層填充于通孔中。

 
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